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公司新闻
Gartner：中国半导体制造业的本土化程度持续提高发布日期：2022-10-09 12:48:20
失效分析 赵工 半导体工程师 2022-10-09 09:59 发表于北京Gartner研究总监曹梦琳发表***研究成果，中国半导体制造业的本土化程度持续提高。研究称，中国企业在半导体制造材料、晶圆制造设备和器件制造工艺技术领域的某些环节取得了***的进步。在硅片、电子特气、CMP材料等一些半导体制造材料环节，中国企业已经能够支持成熟制程节点芯片制造。在沉积、刻蚀、离子注入、CMP、清洗等主要的半导体制造工艺中，中国设备商可以在部分工艺步骤中支持28纳米，甚至14纳米制程节点制造。一些产品可以在部分工艺步骤中支持5纳米制程节点。中国的材料和设备供应商可以抓住半导体
北软检测芯片失效分析方法总结发布日期：2020-07-10 16:12:18
失效分析常用方法汇总芯片在设计生产使用各环节都有可能出现失效，失效分析伴随芯片全流程。这里根据北软检测失效分析实验室经验，为大家总结了失效分析方法和分析流程，供大家参考。一、C-SAM（超声波扫描显微镜)，属于无损检查:检测内容包含：1.材料内部的晶格结构、杂质颗粒、夹杂物、沉淀物 2.内部裂纹 3.分层缺陷 4.空洞、气泡、空隙等。二、 X－Ray（X光检测），属于无损检查:X-Ray是利用阴极射线管产生高能量电子与金属靶撞击，在撞击过程中，因电子突然减速，其损失的动能会以X-Ray形式放出。而对于样品无法以外观方式观测的位置，利用X-Ray穿透不同密度物质后其
探针台支援湖北发布日期：2020-03-05 10:52:29
      仪准科技向湖北半导体产业伸出援助之手援鄂行动 爱在传递，仪准科技成立至今已逾十载，十年来在国家政策帮扶和半导体行业关爱下茁壮成长，砥砺前行！       疫情当下，中国经济发展将受到短暂的影响。仪准科技心系国家，将爱传递，特向受影响的湖北省援助价值百万的探针台。  
双极型晶体管参数符号及其意义（三）发布日期：2020-02-14 13:55:46
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs)----串联电阻Rth----热阻R(th)ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻R(th)jc---结到壳的热阻r δ---衰减电阻r(th)---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温T
双极型晶体管参数符号及其意义（二）发布日期：2020-02-14 13:53:00
Ta---环境温度Tc---管壳温度Ts---结温Tjm---允许结温Tstg---贮存温度td----延迟时间tr---上升时间ts---存贮时间tf---下降时间ton---开通时间toff---关断时间VCB---集电极-基极（直流）电压VCE---集电极-发射极（直流）电压VBE---基极发射极（直流）电压VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在***条件下的耐压VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在***条件下的耐压VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在***条件下的耐压VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集
双极型晶体管参数符号及其意义（一）发布日期：2020-02-14 13:49:54
双极型晶体管参数符号及其意义Cc---集电极电容Ccb---集电极与基极间电容Cce---发射极接地输出电容Ci---输入电容Cib---共基极输入电容Cie---共发射极输入电容Cies---共发射极短路输入电容Cieo---共发射极开路输入电容Cn---中和电容（外电路参数）Co---输出电容Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe---共发射极输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Cre---共发射极反馈电容Cic---集电结势垒电容CL---负载电容（外电路参数）Cp---并联电容（外电路参数）BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVce
半导体元器件场效应管参数符号意义发布日期：2020-02-14 13:48:47
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电
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