发布时间：2020-02-14 13:53:00
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Ts---结温
Tjm---允许结温
Tstg---贮存温度
td----延迟时间
tr---上升时间
ts---存贮时间
tf---下降时间
ton---开通时间
toff---关断时间
VCB---集电极-基极（直流）电压
VCE---集电极-发射极（直流）电压
VBE---基极发射极（直流）电压
VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在***条件下的耐压
VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在***条件下的耐压
VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在***条件下的耐压
VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在***条件下的耐压
VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在***条件下的耐压
VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的耐压
Vp---穿通电压。
VSB---二次击穿电压
VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）
Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VAGC---正向自动增益控制电压
Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
V n---噪声电压
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的变化之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
